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基础电子中的单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数
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文件大小: 41kb
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上传时间: 2020-11-15
详细说明：一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT（AV）
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。
三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可
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