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上传时间: 2020-11-14
详细说明：闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西，但又与普通的FET不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。
图1 闪速存储器的单元结构
浮置栅被设计成可以存储电荷的构造，栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理，一次积累的电荷可以长时间（10年以上）保持。当然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏，那么闪速存储器将失去记忆。同时，因为热能必定致使电荷以某概率发生消减，因此数据保存的时间将受到温度的影响。 下面，我们将进一步讨论闪速存储器的擦除与写人的原理。 我们
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