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上传时间: 2020-11-14
详细说明：写周期的详细情况将在后面进行描述，这里要说明的是，写周期在闪速存储器中利用WE的存取操作不是类似RAM那样的向指定地址的直接写人操作，而是通过指令对闪速存储器进行操作。与NAND闪速存储器相同，通过一连串的指令序列，可以进行编程（数据写人）和芯片擦除操作。
为此，时序图也以包括用于编程及擦除操作时间的形式被记录。图1为编程操作，图2为擦除操作。
图1 编程操作
图2 擦除操作
另外，在图中，如编程操作，是通过向555h写人A0h、然后给予PA（编程地址）和PD（编程数据）的写人方法。但实际上，在访问555h之前，就进行几次写入操作，闪速存储器将此识别为编程
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