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上传时间: 2020-11-14
详细说明：写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以OE保持高电平，由主机方面赋予数据（DQ0～DQ1）。
图 闪速存储器的写操作
当WE和CE双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后，在任何一方上升为高电平阶段（由低电平到高电平的变化中），数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制；通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多，所以图示的也是WE写控制的过程。 写操作时必须要注意的是地址及数据等各信号的建立时间。进行读操作时，只要等待地址、CE、OE确定．从目的地址中就可以发出数据，因
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