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文件名称: NAND闪速存储器的内部结构
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 74kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-14
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。 图 TC58V64的内部结构   NAND闪速存储器的特点   ①按顺序存取数据;   ②存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行分割;   ③以块为单位进行擦除操作;   ④以页为单位进行编程(写人);   ⑤页的大小存在尾数(TC28V64是roodZJ字节);   ⑥也存在有坏块(bad block)的产品。   以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小,就是在512字节(相当于一般的硬盘扇区大小)上增加了16字节的冗余数据字
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