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文件名称: NAND闪速存储器的数据读操作
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 252kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-14
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:TC58V64的读操作如图1所示。随着指令,利用节指定读出开始地址,开始进行数据读操作,地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。   图1 TC58V64的读操作   读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址,后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块,由于各个块又分割成16个页,所以A22~A13为块号(块地址),A12~A19为块内的页号(块内的NAND地址)。   表1 指定地址的方法   读指令如果是00h,则A8=“0”,如果读指令为01h,则A8=“1”,所以没有指定  A8的位。  A22~Al13:块地址   
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