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上传时间: 2020-11-14
详细说明：闪速（Flash）EEPROM作为一种分立元件已经使用很多年了，它们在结构和运用等方面都与EEPROM类似。闪速EEPROM和EEPROM之间的基本差异就在于其写入处理方面，闪速EEPROM是基于热电子注人而不是隧道效应。“热”电子就是快速电子，它们由源极和漏极之间的高电位差来产生，其中一些“热”电子因受正的电荷控制栅的影响穿透隧道氧化层并存储在浮动栅上。由于这种效应使其写人时间减少到大约1011s，与普通EEPROM所必须的3～10ms相比是一个很大进步。另外，其编程电压仅是12V，而EEPROM是17V。第1个带有闪速EEPROM和EEPROM两种存储器的智能卡微控制器已经问世［Atmel
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