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上传时间: 2020-11-14
详细说明：观察对DRAM单元的访问方式即可明白，在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电，以及利用读出放大器进行放大等，所以不太擅长随机访问。但是，在实际中的存储器访问中，持续访问连续的区域是很常见的，而且在安装了高速缓冲存储器的情况下，由于高速缓冲存储器与主存储器（一般以DRAM构成）之间的传输是以块为单位进行的传输。所以，完全的随机访间是罕见的，大多是连续的区域或某狭窄的区域被集中访问。因此，着重设计了在DRAM端可连续访问已确定区域的机制。 以前访问模式具有页模式、静态列模式和半字节（nibble）模式这三种，之后页模式被随后出现的快速翻页模式（Fast PageMode）所取代，进而又被
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