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上传时间: 2020-11-14
详细说明：同步DRAM的写操作如图所示，与读操作相同，都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。
图 SDRAM的写操作
（1）行地址与存储块编号指定 向处于IDLE状态的同步DRAM发出ACTV指令，同时赋予行地址和存储块编号，据此，激活相应的存储块，使之处于能够接受下－写指令的状态。 （2）发出写指令 发出ACTV指令后，只要经过tRCD时间的等待，就可以处于能接受下一指令的状态，与列地址、写入数据一起发出WRITE指令。与读操作时不同的是，不必在意延迟时间，可与指令同时赋予数据。
（3）数据的连续写入 当进行突发写操作时，可在此之后连续赋予数据。只要连续赋
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