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上传时间: 2020-11-14
详细说明：同步DRAM的读操作示例如图所示，所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的，与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。
图 SDRAM的读操作
（1）行地址与存储块编号的指定 首先，因为同步DRAM处于IDLE状态，所以在此发出利用了RAS、CAS、WE及“信号的ACTV指令。同时分别赋予A0～A12、BA0／BA1行地址和存储块编号，据此激活所指定的存储块，移向ROW ACTIVE状态。此后如果等待tRCD时间，则可以接受下一指令。这个tRCD时间记录于数据手册中，HM5225165B的该时间为20ns，因此，如果以133MHz进行操作则需要3个时钟；如果以100MHz进行
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