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上传时间: 2020-11-14
详细说明：图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV），根据式（3－5）可知它的本征吸收截止波长为0.92 gm。因此对于波长大于0.92 gm的入射光InP呈透明状态，如图1（b）所示。通过消除表面p＋－InP的吸收增加了入射光在本征区的吸收，有效地提高了响应度。表面吸收的消除还使得在0.92 gm和1.65 gm范围内波长响应曲线变得平坦。这是因为吸收系数随入射光波长减小而增大，相应的吸收长
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