文件名称:
元器件应用中的BiCMOS工艺单片集成光电接收器
开发工具:
文件大小: 81kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-14
详细说明:由于CMOS工艺通常只提供单电压工作,不允许探测器电压高于电路工作电压,而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作,这就减小了探测器耗尽区宽度,影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用N+隐埋层集电极作为探测器阴极,P+源/漏注入形成阳极,低掺杂外延层形成探测器 I层,这样就形成了纵向PIN结构。由于P型隔离层将PIN的N+阴极限制在光电二极管区域,起到了隔离探测器和 CMOS器件的作用,因此可以在光电二极管的两端加上较大电压,使得耗尽区宽度增大,同时使载流子以饱和速度 漂移,大大提高了速度。
图1即是采用0.6μm BiCMOS
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台,提供交流渠道,下载内容来自于网络,除下载问题外,其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链,请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源,下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载,请稍后再次尝试;或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎,请到消费记录里找到下载记录反馈给我们,经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问,可以通过点击"提供者"的名字,查看对方的联系方式,联系对方咨询.