文件名称:
元器件应用中的SiGe工艺单片集成光电接收器
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文件大小: 63kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-14
详细说明：和普通的双极晶体管相比，由于SiGe HBT异质结晶体管具有更高的速度，因此被用来制作高速集成电路。本文介绍SiGe工艺PIN探测器和HBT集成的器件结构接收器电路结构及OEIC性能。
如图所示，PD为PIN探测器，Q2为共射输入级，Q3和Q6为射级跟随器，Qt、Q4和Q5为电平移位二极管。由于高速晶体管的击穿电压通常较小，Qt和Q5分别减小了Q2和Q6的集电极－发射极电压差UCE以避免晶体管被击穿。YDD和Ygg是为了分别使PIN和放大器工作在最佳状态下，yDD应该足够大以增加探测器耗尽区宽度，适当的Vgg使各个晶体管被偏置在合适的静态工作点上。电阻FF负反馈形成跨阻结构，其值大小决定
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