文件名称:
显示/光电技术中的双光电二极管（DPD）
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上传时间: 2020-11-14
详细说明：N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电二极管的工作速度。为了避免耗尽区外光生载流子扩散运动对器件性能的影响，并且不增加工艺的复杂度，一种如图1所示的基于标准CMOS工艺的双光电二极管（DPD）结构被提了出来[53]。
图1 CMOS双光电二极管结构
现代的CMOS工艺和BiCMOS工艺都会采用自调整技术形成N阱或P阱。在阱中注入N＋或P＋区形成CMOS的源和漏。这样就会形成两个纵向排列背对背的pn结—
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