文件名称:
元器件应用中的CMOS工艺单片集成光电接收器
开发工具:
文件大小: 121kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-14
详细说明：和利用双极工艺中隐埋层集电极实现探测器和接收器集成相比，利用CMOS工艺集成探测器接收器所需的额外工艺 步骤要少得多。利用自备低掺杂衬底，在双阱工艺基础上只需一层额外掩模版以掩蔽二极管区调整栅开启电压的 掺杂过程。为了得到较宽的耗尽区宽度以提高探测器速度和响应度，较低的外延层掺杂浓度是必需的。双极工艺中改变掺杂浓度会由于Kirk效应引起 电流增益和晶体管频率的下降，而在CMOS工艺中，由于N沟和P沟器件分别制作在阱中，因此外延层掺杂浓度的减 小对晶体管特性的影响较小。
图1是单电源工作的探测器接收器集成电路图。放大电路包含三个级，M1、M2、M3和RF反馈电阻构成共源跨阻输 入级，源跟随
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