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上传时间: 2020-11-13
详细说明：光电二极管采用2μm N阱CMOS工艺中的N阱-P衬底pn结来作光电二极管［51］。系统未加优化时，780 nm波长下3 dB带宽大于1.5 MHz，5V偏压下漏电流密度为0.5 pA/mm2，响应度R=0.5 A/W（η＝70%）。
为了能够连续观察PN型光电二极管的光生电流，可以让其工作在存储模式。光电二极管的pn结电容可以被用来存储光生电荷，并在一定周期之后将它们读出，如图1所示［52］。
图1 工作在放电存储模式的PN型光电二极管
为了实现这个目的，当RESET MOS开关打开的时候，光电二极管的电容Cph初始化设置为反向电压Vrev。然后RES
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