文件名称:
显示/光电技术中的光电探测器阵列CCD摄像器件
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文件大小: 91kb
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明［82］，此后关于CCD的研究蓬勃发展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm，像素单元也从最早的不足2000增加到两千六百多万［83］。CCD型摄像器件包括三个部分：进行光电转换的光电探测器阵列部分、移位寄存器电荷转移部分、MOSFET源跟随输出部分。光电转换部分利用普通PN二极管就可实现，其中最重要的、也是CCD区别于其他摄像器件的部分是移位寄存器电荷转移部分。CCD电荷转移由一系列紧密排列的MOS电容器组成，如图1（a）所示。当在某个栅极上加正电压时，就会在栅极底下形成电子势阱，信号
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