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元器件应用中的发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：对于直接带隙半导体来说，峰值波长杨同其禁带宽度相对应；而对于掺ZnO或N的GaN等直接带隙材料来说，峰值波长由等电子陷阱发光中心的位置决定。半导体中，参与电子－空穴复合的能带有一定宽度，而不是能级之间的载流子复合发光。因此导带底附近和价带顶附近的能态都会对发光有贡献，这便造成了发光管的发射光谱较宽。通常发光二极管的光谱半宽度Δλ为50～150 nm。
同金属、绝缘体不同，半导体对温度非常敏感，无论是发光波长还是发光强度都随着温度的变化而变化。由于禁带宽度随着温度的升高而变小，载流子复合速率也会减少，这些导致发光管的波长随温度的上升而增长，变化速率为0.2～0.3 nm／℃。温度每升高1℃
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