文件名称:
显示/光电技术中的基片的SOl背部刻蚀和键合
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使BESOI法在20世纪70年代就发展起来了。
BESQI的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。
键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。
硅片减薄有几种不同的工艺，最通常的是化学机械抛光（CMP），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为10 gm左右。如果想使顶层硅更薄，常用的办法是先对硅进行重P型掺杂，然后再外延一层轻掺杂的硅作为光波
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