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上传时间: 2020-11-13
详细说明：（1）刻蚀速率：影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度（例如HDP的刻蚀速率很高）、鞘层电压（通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变）。
（2）选择性：RIE主要用于图形转移，因而一般要面对刻蚀两种材料 已开窗口的掩模及其下方待刻蚀的材料。要求Plasma对掩模材料的刻蚀速率低于对衬底材料的刻蚀速率。这就是选择性的意思。
（3）边缘剖面的控制———些因素干扰了准确地复制图形。
①钻蚀（Undercutting）。由于离子几乎垂直地入射到衬底表面，因此片子正底面接收到的离子流要比sidewall接收到的离子流要大得多。如果是离子诱发反应，则没有横向刻蚀。但如果是离
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