文件名称:
基础电子中的半导体VCSEL刻蚀空气柱型
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文件大小: 87kb
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构，如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料，通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中，为了严格控制腐蚀的深度，通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液，并且磷酸对GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比，例如，H3P04：H2O2：H2O＝1∶1∶10，进行各向同性的湿法腐蚀。一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制，刻蚀后在柱的底部有凹槽，这限制了器件直径的进一步减小。另外一个缺点就是工艺的可重复性较差，腐蚀液的配比、腐蚀时间和腐蚀温度都会影响到表面的质量。
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