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上传时间: 2020-11-13
详细说明：在多对DBR结构中，若中间区域某一层的厚度偏离1／4个波长，则在该结构中会形成驻波。最简单的情况是将中间的间隔设定为半波长，这样可以与两边的DBR层一起，构成了一个小的F－P谐振腔。VCSEL的光腔厚度约为一个波长左右，如图所示。光腔中的有源层两边围着高带隙的包层。低带隙的有源层和高带隙的包层材料中的导带和价带的偏移，限制了载流子的移动。为了在谐振腔里提供光增益，制作多量子阱结构，F－P腔的光场最大值就在中心处。将量子阱位置与光场最大值处交叠，量子阱就可以提供最大的增益。例如，对应于发射波长650 nm，780 nm，850 nm，980 nm和1300 nm，其量子阱材料分别为InGaP，A
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