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显示/光电技术中的脊宽和脊高对载流子密度的影响
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上传时间: 2020-11-13
详细说明：首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件，这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我们在图1中假设了3.2pm，这个深度对光场的限制较强；用Silvaco进行模拟，并给出模拟结果，
下面我们考虑保证单模条件下将莎值减小到2pm。利AA线和BB线的结果分别如图1和图2所示。
图1 垂直方向载流子浓度的变化
图2 水平方向载流子浓度的变化
由图1可以看出，沿AA方向的载流子密度受脊高的影响不大，即使在光场比较集中的地方变化也较小；沿BB方向，差别最大的位置也不过相差了1%左右，所以脊高对载流子密度
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