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zetex发布三款有限驱动电压应用设计的MOSFET
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文件大小: 39kb
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上传时间: 2020-11-27
详细说明：模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。 这三款新产品分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新MOSFET可确保1.8VGS条件下的导通电阻(RDS(ON))分别低于75毫欧(mΩ)、100毫欧(mΩ)和200毫欧(mΩ)，使之在低压应用中大
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