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ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”
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上传时间: 2020-11-26
详细说明：美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。 此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需要采用设计规格为1μm～3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术，与此前相比可减少耗电、减小芯片面积，还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能，ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域，全面推进由此前的Bipolar-CMOS技术向iCMOS工艺技术的过渡。 还同时宣布采用该技术生产15种产品 该公司在
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