文件名称:
三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片
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上传时间: 2020-11-26
详细说明：北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。
三星电子公司表示，他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用五十纳米工艺。
三星电子公司在一份声明中说，64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。
三星电子公司表示，64GB的闪存芯片属于全世界首创。它的问世，也是闪存行业连续八年让容量翻倍，也是连续七
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