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国半推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器
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文件大小: 37kb
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上传时间: 2020-11-26
详细说明：国家半导体公司(National Semiconduct，简称国半)推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器——LM5107。该器件派生自LM5100系列，能和高达100V的电源电压一起工作。 LM5107的输出由TTL兼容的输入阈值单独控制，并集成了高压二极管，用以向高边栅极驱动升压电容充电。强健的电平转移技术能工作在高速度而消耗低功率。该器件还提供了从控制输出逻辑到高边栅极驱动器干净的电平转换。在低边和高边两个电源轨提供了欠压锁住。 LM5107的峰值电流沉/源输出分别为1.4A/1.3A，具备单独的TTL兼容输入，升压电源电压高达118VDC，快速
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