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FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破
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文件大小: 42kb
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上传时间: 2020-11-25
详细说明：FSI 国际有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR:trade_mark:技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA:registered: Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPR:trade_mark:技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除
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