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电源技术中的飞兆半导体推出新型1200V IGBT模块
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上传时间: 2020-11-25
详细说明：飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出两种新型1200V IGBT模块 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，电流额定值分别为50A和75A，具有兼顾地优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff)，提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源 (UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。与使用非穿通型 (NPT) 技术的同类元件相比，飞兆半导体的FMG2G75US120可减少功率损耗达20%。(在CO2 焊接应用中的测试取得良好效果：20kHz 开关频率；380V 3相输入；300A输出；全负载条
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