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电源技术中的NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品
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上传时间: 2020-11-25
详细说明：NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。
该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中，低漏极电流器件(ID(DC) < 50A)中的导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中，额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。
能实现P-沟
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