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元器件应用中的快恢复整流二极管的结构特点及特性
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上传时间: 2020-11-23
详细说明：快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P一tI一N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。
反向恢复时间门是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图一所示。
图一 反向恢复电流波形
图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流．通常规定Irr＝0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I＝IF。当t＞to时，由于整流器件上 的正向电压突然变
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