文件名称:
元器件应用中的瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线
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文件大小: 62kb
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上传时间: 2020-11-22
详细说明：给出了瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线。图(a)所示为单极型瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线，从图中可以看出，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为曲型的PN结雪崩击穿特性。在瞬态脉冲电压作用下，流过瞬态电压抑制二极管的电流，由原来的反向漏电流ID上升到击穿电流IR，其两端电压则由反向关断电压VMN上升到击穿电压VBR，此时瞬态电压抑制二极管反向击穿。随着峰值脉冲电流的增大，通过的电流立即达到峰值脉冲电流IPP，但瞬态电压抑制二极管两端的电压被钳位于最大钳位电压Vc,Vc又叫二极管的最大抑制电压。二极管从零到最小击穿电压VBR的时间叫锚位时间tc。单极型瞬态电压抑制二极管的钳位时间tc＜lns
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