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元器件应用中的HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管
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上传时间: 2020-11-22
详细说明：HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管（HVVFET?），HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级，远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别，而其成本水平却极具吸引力。 作为初始发布的一部分，HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三个新产品发挥了HVVFET工艺固有的优势，以及其紧凑的封装提供高输出功率和高增益，三款器件工作电压均为48V。主要系统优势 HVVi的新产品可以为雷
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