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元器件应用中的ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND
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上传时间: 2020-11-22
详细说明：意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率，新产品让设计工程师大幅
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