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电源技术中的ST新推功率MOSFET系列，采用最新版STripFET技术
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上传时间: 2020-11-21
详细说明：意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：FOM = 导通电阻Rds(on) x栅电荷量（Qg）。
除高能效外，新款MOSFET准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。
STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STri
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