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元器件应用中的凌力尔特LTC4355用N沟道MOSFET取代肖特基二极管
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文件大小: 51kb
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上传时间: 2020-12-03
详细说明：凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件9V至80V的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如12V分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如-48V AdvancedTCA(ATCA)应用。另外，LTC4355监视如下几种类型的故障并分别发出不同的信号：输入电源未进入稳定状态；并行保险丝烧断；MOSFET上的电
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