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austriamicro推出CMOS工艺DFM参考设计流程
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：austriamicro公司Full Service Foundry部门近日宣布，推出0.35微米高压CMOS工艺的可制造性设计(DFM)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压DFM工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasitic simulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压DFM指导方针和DFM设计评价。 这种高压CMOS工艺(H35)采用模拟/混合信号技术，是最新一代的先进HV MOS装置，可提供20V和50V的电压以及非常低的阻抗。H35应用场合很多，包括电源管理、发动机控制、打印头
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