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意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。
NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存（均有3V 和1.8V两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。
NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的NAND接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高（或更低）密度的改进系统。
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