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元器件应用中的安森美推出高度仅0.5mm的ESD抑制器件
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出μESD (微型ESD)双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。该器件专为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。
安森美半导体小信号部市场营销主管Gary Straker介绍说：“对致力于满足严格的ESD标准的设计人员而言，安森美半导体的μESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。μESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路，同时具有多种性能优势，包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短，且能够承受多次ES
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