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电源技术中的飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON)) MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。
FDS881XNZ系列为设计师提供了多种选项，让他们可
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