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元器件应用中的Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω
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文件大小: 38kb
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。
这些新型P沟道功率MOSFET基于Siliconix的先进P沟道TrenchFET技术，它们的小型尺寸降低了板级空间要求，从而可在使性能不变的情况下实现更小的整体产品设计。由于P沟道驱动电路比N沟道解决方案更简单，因此，这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源转换器中实施成本更低的更小型有源钳位设计。
推出的这些功率MOSFET主要面向电信、数据通信和工业产品的DC-DC转换器中的初级端(primary-s
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