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富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市
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上传时间: 2020-12-01
详细说明：富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市，该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。 富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存，具备高速资料写入、低功耗、大量写入周期等特点，适用于汽车导航系统、多功能打印机、测量仪器及其它需使用非挥发性内存来储存各种参数、记录设备操作条件与保存安全信息的各项高阶应用。 FRAM组件的高速资料写入和大量写入周期功能，非常适合办公设备中储存事件计数或参数，以及记录各种事件等用途。FRAM组件可提供100亿次的读/写周期，相当于以每秒写入30次的速率连续写
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