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RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖
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上传时间: 2020-11-30
详细说明：RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器，获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。
Ramtron亚太区域总监徐梦岚称：“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同，我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破，将引领Ramtron与F-RAM进入新的创新应用中。中国设计工程师对FM22L16所作的投票，足以证明该产品的技术成果已获得公认
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