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元器件应用中的NXP发布最新一代低VCEsat晶体管其功率损耗可减少80％
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上传时间: 2020-11-30
详细说明：恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。通过与恩智浦的合作，我们有众多高品质BISS晶体管可以选择，并能够以最佳价格成本设计开发各种创新型高
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