文件名称:
电源技术中的飞兆半导体新款小体积高性能功率MOSFET适用于便携式产品
开发工具:
文件大小: 62kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-29
详细说明：飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench MOSFET，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，因而具有出色的热阻(83℃/W)和低RDS(ON)(4.5
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
