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元器件应用中的安森美推出HighQ硅-铜集成无源器件制造工艺和IPD产品设计工具
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上传时间: 2020-11-29
详细说明：安森美宣布将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。
安森美半导体的HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。
安森美半导体制造服务总经理Rich Carruth说：“目前，为了向市场推出具有价格竞争力的电子消费品，设计人员在为板选择无源器件时只好牺牲性能。以砷化镓-金工艺制造的无源器件提供较好的性能，但是过高的总体制造成本限制了其用于
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