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元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件
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文件大小: 61kb
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上传时间: 2020-11-29
详细说明：飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。 飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench:registered: MOSFET，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (WL-CSP)，因而具有出色的热阻 (83℃/W) 和低RDS(ON
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