文件名称:
电源技术中的飞利浦发布面向RF产品的BiCMOS工艺
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上传时间: 2020-11-29
详细说明：飞利浦电子公司日前发布了QUBiC4X技术，这是高性能BiCMOS工艺技术（双极CMOS）中QUBiC4系列产品的最新成员。这一基于硅锗碳（SiGe:C）技术的新工艺令双极晶体管的fT指标超过了130GHz，非常适合于10GHz到30GHz范围之间的微波应用，例如卫星电视接收器和汽车碰撞探测雷达。而其超低的噪音指标使这一新工艺非常适用于灵敏的RF接收器，例如高性能手机为提高在线消费者的用户体验所需的RF接受器。 在增益率和噪音指标方面，QUBiC4X的双极晶体管可以同砷化镓性能相媲美，同时使用这一工艺还可以实现CMOS逻辑单元，CMOS RF电路系统以及高性能高质量的无源器件之间的整合。除
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