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电源技术中的飞兆推出具有极佳抗雪崩能力的1200V NPT沟道IGBT
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上传时间: 2020-11-28
详细说明：飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT，它结合了极佳的抗雪崩能力和经优化的开关及导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。 该产品专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，能够延长系统寿命。此款IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术，这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺，使它能够耐受最大450mJ的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。 飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Ki
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