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电源技术中的Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT
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上传时间: 2020-11-28
详细说明：安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。 安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说：“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列，从而使设计更灵活，并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出，在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品，在目前市
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